高純度銅接地棒含雜質(zhì)極少，其原子排列較為規(guī)則和整齊。在高溫環(huán)境下，氧原子與銅原子的反應(yīng)相對(duì)較為簡(jiǎn)單直接。由于雜質(zhì)少，不會(huì)因雜質(zhì)與銅形成原電池等復(fù)雜反應(yīng)而加速氧化。因此，高純度銅接地棒的初始氧化速率相對(duì)較為穩(wěn)定且緩慢。例如，在某高溫實(shí)驗(yàn)環(huán)境（800℃）下，純度為 99.99%的銅接地棒，在開(kāi)始的 1 小時(shí)內(nèi)，表面氧化層厚度增加較為緩慢，僅增加了約 0.01 毫米。

  低純度銅接地棒中含有較多的雜質(zhì)，如鐵、鋅、鉛等。這些雜質(zhì)會(huì)與銅形成不同的電位差，在高溫下，雜質(zhì)周?chē)菀仔纬晌⑿〉脑姵亍Ｔ姵胤磻?yīng)會(huì)加速電子的轉(zhuǎn)移，使得氧原子更容易與銅原子發(fā)生反應(yīng)，從而導(dǎo)致低純度銅接地棒的氧化速率明顯高于高純度銅接地棒。同樣在 800℃環(huán)境下，純度為 95%的銅接地棒，在開(kāi)始的 1 小時(shí)內(nèi)，表面氧化層厚度增加了約 0.05 毫米，是高純度銅接地棒的 5 倍左右。

  高純度銅接地棒在高溫氧化后，生成的氧化產(chǎn)物主要是氧化銅（CuO），其結(jié)構(gòu)相對(duì)較為致密。這是因?yàn)楦呒兌茹~的原子排列規(guī)則，氧化過(guò)程較為均勻，形成的氧化層能夠較好地附著在銅表面，起到一定的保護(hù)作用，減緩進(jìn)一步的氧化。例如，在持續(xù)高溫（800℃）24 小時(shí)后，高純度銅接地棒表面的氧化層雖然有所增厚，但仍然保持相對(duì)完整和致密的結(jié)構(gòu)，對(duì)內(nèi)部銅的進(jìn)一步氧化有一定的阻礙作用。

  低純度銅接地棒由于雜質(zhì)的存在，氧化產(chǎn)物除了氧化銅外，還會(huì)有雜質(zhì)的氧化物。這些不同的氧化物混合在一起，使得氧化產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)變得疏松多孔。雜質(zhì)氧化物的存在破壞了氧化層的完整性，氧原子更容易通過(guò)這些孔隙深入到銅內(nèi)部，加速氧化過(guò)程。在同樣 800℃高溫 24 小時(shí)后，低純度銅接地棒表面的氧化層變得疏松，容易脫落，無(wú)法有效地阻止內(nèi)部銅的繼續(xù)氧化。

  高純度銅接地棒本身導(dǎo)電性極佳，雖然在高溫氧化后表面形成氧化層，但由于氧化層相對(duì)致密且較薄，對(duì)整體導(dǎo)電性的影響較小。例如，在高溫氧化前，高純度銅接地棒的電阻率約為 1.7×10??Ω·m，經(jīng)過(guò) 800℃高溫氧化 24 小時(shí)后，其電阻率僅上升到約 1.8×10??Ω·m，上升幅度約為 5.8%。

  低純度銅接地棒由于氧化速率快且氧化產(chǎn)物結(jié)構(gòu)疏松，會(huì)導(dǎo)致大量的銅被氧化，從而使導(dǎo)電通路減少。同時(shí)，疏松的氧化層也會(huì)增加電子傳輸?shù)淖枇?。在高溫氧化前，低純度銅接地棒的電阻率約為 2.0×10??Ω·m，經(jīng)過(guò) 800℃高溫氧化 24 小時(shí)后，其電阻率上升到約 2.5×10??Ω·m，上升幅度達(dá)到 25%，對(duì)導(dǎo)電性的影響較為顯著。